德国SEMIKRON公(gong)司(si)主要供应:德国(guo)赛米控(kong)模块(kuai),SEMIKRON晶闸管,分立(li)晶闸管,IGBT模块(kuai),MOSFET模块(kuai),桥式整流器模块(kuai)等(deng)产品(pin)。
一、德国SEMIKRON公司介绍
SEMIKRON是全(quan)球(qiu)领(ling)(ling)先的(de)(de)功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)模(mo)块和(he)系(xi)统(tong)制造商之(zhi)一,产(chan)品(pin)(pin)主要涉及中(zhong)等功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)输出(chu)范围(wei)(约2 kW至10 MW)。他(ta)们(men)(men)的(de)(de)产(chan)品(pin)(pin)是现代节(jie)(jie)能型(xing)电(dian)(dian)机驱动器(qi)和(he)工业自(zi)(zi)动化系(xi)统(tong)中(zhong)的(de)(de)核心器(qi)件。其它应用领(ling)(ling)域(yu)包(bao)括(kuo)电(dian)(dian)源(yuan)、可(ke)再(zai)生能源(yuan)(风能和(he)太阳能发电(dian)(dian))和(he)电(dian)(dian)动车(私(si)家车、厢(xiang)式货车、公(gong)交车、卡车、叉车等)。 借助(zhu)SEMIKRON的(de)(de)创新型(xing)电(dian)(dian)力电(dian)(dian)子功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)产(chan)品(pin)(pin),他(ta)们(men)(men)的(de)(de)客(ke)户(hu)可(ke)以(yi)开发出(chu)更(geng)小、更(geng)节(jie)(jie)能的(de)(de)电(dian)(dian)力电(dian)(dian)子功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)系(xi)统(tong)。而此类系(xi)统(tong)也(ye)可(ke)相(xiang)应地(di)减少(shao)全(quan)球(qiu)能源(yuan)需求。他(ta)们(men)(men)在价值(zhi)链上为客(ke)户(hu)提供(gong)(gong)正确的(de)(de)产(chan)品(pin)(pin)。他(ta)们(men)(men)针对(dui)自(zi)(zi)身的(de)(de)战(zhan)略(lve)市场开发和(he)制造芯片、功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)模(mo)块、智能功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)模(mo)块、功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)组件和(he)系(xi)统(tong)。他(ta)们(men)(men)保(bao)证自(zi)(zi)身业务持续增(zeng)长并(bing)获得丰厚(hou)利润。他(ta)们(men)(men)与(yu)客(ke)户(hu)通力合作(zuo),明确其面临的(de)(de)挑战(zhan),提供(gong)(gong)相(xiang)应解决方案(an)和(he)有价值(zhi)的(de)(de)帮助(zhu),最终确保(bao)客(ke)户(hu)达成(cheng)自(zi)(zi)身目(mu)标。
二、德国SEMIKRON部分产品介绍
1.赛米控IGBT模块
SEMIKRON提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和(he)SEMITOP封装形式的(de)(de)IGBT(绝(jue)缘栅双极晶体管(guan)(guan))模(mo)块,支(zhi)持不同(tong)的(de)(de)拓(tuo)(tuo)扑结构、额定电流(liu)和(he)电压。这些IGBT模(mo)块的(de)(de)电流(liu)范围为4A至1400A,电压级别为600V至1800V。它们可用(yong)于(yu)各(ge)种应用(yong),并采用(yong)多项(xiang)关键技术,如烧结以(yi)及实现快(kuai)捷装配的(de)(de)弹簧或press-fit连(lian)接。提供不同(tong)的(de)(de)拓(tuo)(tuo)扑结构,提供不同(tong)的(de)(de)拓(tuo)(tuo)扑结构,如CIB(整(zheng)流(liu)-逆(ni)变-制(zhi)动)、半桥(qiao)、H桥(qiao)、三(san)相全桥(qiao)和(he)三(san)电平等(deng),涵盖几乎所有应用(yong)领(ling)域。结合(he)最新(xin)的(de)(de)IGBT芯(xin)片和(he)赛米控的(de)(de)CAL二极管(guan)(guan)技术。最新(xin)代IGBT7已正(zheng)式应用(yong)于(yu)赛米控功(gong)率模(mo)块,其带来更高功(gong)率密(mi)度并确立了(le)新(xin)的(de)(de)性能评(ping)价基准,特(te)别是在电机驱动和(he)太(tai)阳能应用(yong)中(zhong)。
2.赛米控MOSFET模块
SEMIKRON生(sheng)产(chan)各类MOSFET模块(金属(shu)氧化物半(ban)导体(ti)场效应晶体(ti)管(guan)),以SEMITOP和SEMITRANS封装形式提供单(dan)开关(guan)、半(ban)桥(qiao)、H桥(qiao)和三(san)相(xiang)全桥(qiao)配置。 电压范(fan)围55V至(zhi)600V、额(e)定电流(liu)40A至(zhi)290A的MOSFET模块专门设计用于(yu)高(gao)速开关(guan)应用,具有低开关(guan)损耗特性。
3.赛米控分立晶闸管
SEMIKRON的分立晶(jing)(jing)闸(zha)管(guan)提供两(liang)种封装(zhuang)(zhuang)形式(shi):螺栓(shuan)安装(zhuang)(zhuang)型(适(shi)合(he)(he)要(yao)求高耐(nai)久性和装(zhuang)(zhuang)配方便的应(ying)用)以及胶(jiao)囊型(即圆盘形,适(shi)合(he)(he)大(da)功(gong)率应(ying)用)。该产品线还包括(kuo)相控型晶(jing)(jing)闸(zha)管(guan),其(qi)额定电(dian)流高达1200A,阻断和反向电(dian)压高达1800V,涵(han)盖市(shi)场(chang)上的主要(yao)应(ying)用。 典型应(ying)用: 软启动器、电(dian)阻加热(re)、静态开(kai)关(guan)、电(dian)池充电(dian)器、焊接设备、静态励磁及其(qi)他应(ying)用。
4.赛米控桥式整流器模块
桥(qiao)式(shi)(shi)整流(liu)(liu)器(qi)(qi)将整流(liu)(liu)电路的(de)(de)所有(you)(you)分支(zhi)集成在单个紧凑的(de)(de)外壳中。其电流(liu)(liu)范(fan)围从几安(an)(an)培(pei)到(dao)数百安(an)(an)培(pei)不等,具有(you)(you)不同(tong)的(de)(de)封装形(xing)式(shi)(shi)。 SEMIKRON提供单相或三相拓扑(pu)结构的(de)(de)桥(qiao)式(shi)(shi)整流(liu)(liu)器(qi)(qi)模块,带或不带制动斩波器(qi)(qi)。桥(qiao)式(shi)(shi)整流(liu)(liu)器(qi)(qi)模块具有(you)(you)不同(tong)封装形(xing)式(shi)(shi),如(ru)SEMiX、SEMITOP、SEMIPONT、Power Bridge和MiniSKiiP。
三、华联欧供应部分产品型号
1.赛米控IGBT模块
①IGBT模块SK 9 BGD 065 ET
②IGBT模块SK 9 DGD 065 ET
③IGBT模块SKiiP 01NAC066V3
④IGBT模块SKiiP 01NEC066V3
⑤IGBT模块SKiiP 11NAB065V1
2.赛米控MOSFET模块
①MOSFET模块SK300MB080
②MOSFET模块SK 85 MH 10 T
③MOSFET模块SKM 111 AR
④MOSFET模块SKM 111 RZR
⑤MOSFET模块SK280MB10
3.赛米控分立晶闸管
①分立晶闸管SKT 130
②分立晶闸管SKT 160
③分立晶闸管SKT 250
④分立晶闸管SKT 300
⑤分立(li)晶闸管SKT 16
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